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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠(chéng)信服務(wù)

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠(chéng)信服務(wù)
詳情介紹:

HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠(chéng)信服務(wù)

HN12A變頻式互感器綜合儀CT/PT儀

青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠(chéng)信服務(wù)測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT,包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.容性負(fù)載過(guò)大如中的電路所示,一個(gè)3W的模塊,輸出使用了2uF的電容,而通過(guò)查閱產(chǎn)品手冊(cè)了解到,模塊建議輸出電容為8uF。輸出電容過(guò)大可能導(dǎo)致啟動(dòng),而對(duì)于不帶短路保護(hù)的微功率DC-DC模塊,輸出電容過(guò)大甚至可能導(dǎo)致模塊損壞。接開關(guān)電源芯片,注意啟動(dòng)如所示,電源模塊的輸出電壓是逐漸建立的,電路的LM2576沒有設(shè)計(jì)欠壓鎖定,在VIN電壓較低時(shí)即開始啟動(dòng),若OUT負(fù)載過(guò)重,可能被24V模塊誤判為短路或容性負(fù)載過(guò)大,從而導(dǎo)致啟動(dòng)。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10%誤差曲線、 5%誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)(ALF)、 儀表保安系數(shù)(FS)、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。Atmel、賽普拉斯、Microchip和NXP等多家公司已經(jīng)把部分用戶可定義邏輯添加到自己的部件上,用于修復(fù)部分此類問(wèn)題。這些器件主要是帶附加邏輯的微控制器。CPU仍然是主要的處理器件,附加邏輯的作用是提高CPU的工作效率。這類器件常見于成本敏感性產(chǎn)品中,但也在低級(jí)任務(wù)中用作小型協(xié)處理器,以減輕主處理器的負(fù)擔(dān),從而提升效率。另一方面FPGA也正在朝著類似的目標(biāo)前進(jìn),雖然是從另一個(gè)方向。賽靈思和Altera多年來(lái)一直在添加軟硬核處理器以創(chuàng)建片上系統(tǒng)。

具體接線步驟和說(shuō)明如下:

斷開電力線與CT一次側(cè)的連接,未接地的電力線較長(zhǎng),會(huì)給CT一次側(cè)的測(cè)量引入較大干擾,參見圖3.4。青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠(chéng)信服務(wù)

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.3所示,斷開被測(cè)CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對(duì)變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測(cè)試時(shí),沒有測(cè)試的二次繞組應(yīng)短接,否則測(cè)試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10,典型充電器框圖在有線應(yīng)用中,變壓器是一個(gè)帶有核心的單元,可確保初級(jí)產(chǎn)生的(幾乎)所有通量都能耦合到次級(jí)。這確保了高水平功率傳輸,進(jìn)而助力構(gòu)建高能效的充電器。為了打造無(wú)線充電器,變壓器被分為初級(jí)和次級(jí),初級(jí)(發(fā)射器)保留在充電器中,次級(jí)(接收器)位于將要充電的設(shè)備中。初級(jí)和次級(jí)之間的距離將因應(yīng)用而異,并會(huì)對(duì)充電器的性能產(chǎn)生重大影響。通過(guò)將核心替換為“空氣”,通量傳輸減少。如果在基于核心的變壓器中,耦合系數(shù)(k)近似為1,那么在無(wú)線應(yīng)用中,k的值將接近0.25。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT,進(jìn)行0.5級(jí)繞組的比差角差測(cè)量時(shí)應(yīng)按照?qǐng)D3以下是紅外熱像儀應(yīng)用中套管電壓致熱缺陷的診斷根據(jù):套管外壁是一層導(dǎo)熱性能較差的絕緣陶瓷,通過(guò)測(cè)量表面溫度,我們很難得到設(shè)備內(nèi)部的真實(shí)溫度。一般來(lái)說(shuō),我們建議采用三相對(duì)比的方式來(lái)衡量套管是否異常發(fā)熱。對(duì)于套管缺油的情況,是一種電壓致熱故障。這種故障對(duì)于電力部門的**生產(chǎn)是一種較大隱患。在實(shí)際運(yùn)行中檢測(cè)人員應(yīng)當(dāng)注意觀察,以免造成重大損失。以下是套管缺油的診斷判據(jù):變壓器套管熱缺陷處理建議如果異常發(fā)熱是由于將軍帽與外部接線板或內(nèi)部導(dǎo)電桿接觸所造成的。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說(shuō)明如下:將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.6所示,斷開PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端,參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響,在連接CTPT儀的端子時(shí),CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計(jì)算后,換成了一顆5A的MOS管,問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件,卻能提高可靠性呢?工程師在設(shè)計(jì)的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量,卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì),案例我們放到后說(shuō),為了幫助理解,我們先引入一個(gè)概念:其中Tc為芯片的外殼溫度,PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率,Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度,目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃,Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻,Rcs表示外殼至散熱片的熱阻,Rsa表示散熱片到空氣的熱阻,一般功率器件用Rjc進(jìn)行計(jì)算即可。青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠(chéng)信服務(wù)青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠(chéng)信服務(wù)






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